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May 07, 2023

Renesas stellt Neues vor

Neues Energieprodukt wird im neu gegründeten 300-mm-Kofu von Renesas hergestellt

Neues Energieprodukt wird in der neu errichteten 300-mm-Kofu-Fabrik von Renesas hergestellt

TOKIO, Japan – Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), ein führender Anbieter von fortschrittlichen Halbleiterlösungen, kündigte die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) an, die auf kleiner Grundfläche und gleichzeitig niedrigen Betriebskosten angeboten werden Leistungsverluste. Die IGBTs der AE5-Generation sind auf Wechselrichter der nächsten Generation für Elektrofahrzeuge (EVs) ausgerichtet und werden ab der ersten Hälfte des Jahres 2023 auf den 200- und 300-mm-Waferlinien von Renesas im Werk des Unternehmens in Naka, Japan, in Massenproduktion hergestellt. Darüber hinaus wird Renesas ab der ersten Hälfte des Jahres 2024 die Produktion in seiner neuen 300-mm-Wafer-Leistungshalbleiterfabrik in Kofu, Japan, hochfahren, um der wachsenden Nachfrage nach Leistungshalbleiterprodukten gerecht zu werden.

Der siliziumbasierte AE5-Prozess für IGBTs erreicht eine Reduzierung der Leistungsverluste um 10 % im Vergleich zu den AE4-Produkten der aktuellen Generation, eine Energieeinsparung, die Entwicklern von Elektrofahrzeugen helfen wird, Batteriestrom zu sparen und die Reichweite zu erhöhen. Darüber hinaus sind die neuen Produkte rund 10 % kleiner bei gleichzeitig hoher Robustheit. Die neuen Renesas-Geräte erreichen das branchenweit höchste Leistungsniveau für IGBTs, indem sie die Kompromisse zwischen geringem Leistungsverlust und Robustheit optimal ausbalancieren. Darüber hinaus verbessern die neuen IGBTs als Module die Leistung und Sicherheit erheblich, indem sie Parameterschwankungen zwischen den IGBTs minimieren und für Stabilität beim Parallelbetrieb von IGBTs sorgen. Diese Funktionen bieten Ingenieuren mehr Flexibilität bei der Entwicklung kleinerer Wechselrichter, die eine hohe Leistung erzielen.

„Die Nachfrage nach Leistungshalbleitern für die Automobilindustrie wächst rasant, da Elektrofahrzeuge immer häufiger verfügbar werden“, sagte Katsuya Konishi, Vizepräsident der Power System Business Division von Renesas. „Die IGBTs von Renesas bieten äußerst zuverlässige und robuste Stromversorgungslösungen, die auf unserer Erfahrung in der Herstellung von Stromversorgungsprodukten für die Automobilindustrie seit sieben Jahren basieren. Da die neuesten Geräte bald in Massenproduktion gehen, bieten wir optimale Funktionen und ein optimales Preis-Leistungs-Verhältnis für die Mitte.“ -Reihe von EV-Wechselrichtern, die in Zukunft voraussichtlich schnell wachsen werden.

Bei Elektrofahrzeugen werden die Motoren, die die Fahrzeuge antreiben, von Wechselrichtern gesteuert. Schaltgeräte wie IGBTs sind für die Minimierung des Stromverbrauchs von Elektrofahrzeugen von entscheidender Bedeutung, da Wechselrichter den Gleichstrom in den Wechselstrom umwandeln, den die Motoren von Elektrofahrzeugen benötigen. Um Entwickler zu unterstützen, bietet Renesas die xEV Inverter Reference Solution an, ein funktionierendes Hardware-Referenzdesign, das einen IGBT, einen Mikrocontroller, einen Power-Management-IC (PMIC), einen Gate-Treiber-IC und eine Fast-Recovery-Diode (FRD) kombiniert. Renesas bietet auch das xEV Inverter Kit an, bei dem es sich um eine Hardware-Implementierung des Referenzdesigns handelt. Darüber hinaus bietet Renesas ein Motorparameter-Kalibrierungstool sowie das xEV Inverter Application Model and Software an, das ein Anwendungsmodell und Beispielsoftware zur Steuerung des Motors kombiniert. Diese Tools und Supportprogramme von Renesas sollen Kunden dabei helfen, ihre Softwareentwicklungsbemühungen zu vereinfachen. Renesas plant, die IGBTs der neuen Generation zu diesen Hardware- und Software-Entwicklungskits hinzuzufügen, um eine noch bessere Energieeffizienz und Leistung bei kleinerem Platzbedarf zu ermöglichen.

Muster der 750-Spannungs-Version mit 300 A sind ab sofort bei Renesas erhältlich. Weitere Versionen sind für zukünftige Veröffentlichungen geplant. Weitere Informationen zu den neuen IGBTs finden Sie hier: https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-devices/automotive-igbt-0.

Auf der Website ist auch ein Blog-Artikel zum neuen Produkt verfügbar: Der IGBT/AE5 der nächsten Generation bietet hohe Effizienz und Benutzerfreundlichkeit.

Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) ermöglicht eine sicherere, intelligentere und nachhaltigere Zukunft, in der Technologie dazu beiträgt, unser Leben einfacher zu machen. Renesas ist ein weltweit führender Anbieter von Mikrocontrollern und vereint unsere Expertise in den Bereichen eingebettete Verarbeitung, Analog, Stromversorgung und Konnektivität, um komplette Halbleiterlösungen zu liefern. Diese erfolgreichen Kombinationen beschleunigen die Markteinführung von Automobil-, Industrie-, Infrastruktur- und IoT-Anwendungen und ermöglichen Milliarden vernetzter, intelligenter Geräte, die die Art und Weise, wie Menschen arbeiten und leben, verbessern. Erfahren Sie mehr unter renesas.com. Folgen Sie uns auf LinkedIn, Facebook, Twitter, YouTube und Instagram.

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