5A 200V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET B5n20 bis -251

BESCHREIBUNG

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20	F5N20
Drian-Source-Spannung		V_DS	200		V
Gate-Drain-Spannung		V_GS	±30		V
Abflussstrom (kontinuierlich)		ICH_D(T=25°C)	5		A
		(T=100°C)	3.4		A
Abflussstrom (gepulst)		ICH_DM	20		A
Einzelimpuls-Lawinenenergie		E_ALS	125		mJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Totale Verlustleistung	Ta=25°C	Pt	2	2	W
	Temperatur = 25 °C	Pt	40	20	W
Stellentemperatur		T_J	-55~150		C
Lagertemperatur		T_stg	-55~150		C

Merkmale

Schnelles Umschalten

Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 0,65 Ω)

Niedrige Gate-Ladung (Typ: 7 nC)

Niedrige Rückübertragungskapazitäten (Typ: 8 pF)

100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

100 % V_DSPrüfen

Anwendungen

Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markieren Sie den Namen	RoHS	Paket	Menge
5N20	TO-220C	5N20	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
F5N20	TO-220F	F5N20	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
B5N20	TO-251	B5N20	Bleifrei	Rohr	3000/Karton
D5N20	TO-252	D5N20	Bleifrei	Band und Rolle	2500/Karton
I5N20	TO-262	I5N20	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
E5N20	TO-263	E5N20	Bleifrei	Band und Rolle	800/Karton

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

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