Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT G25t120d bis-247

BESCHREIBUNG

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

PARAMETER		SYMBOL	BEWERTUNG	EINHEIT

Kollektor-Emitter-Spannung		V_CES	1200	V
Gate-Emitter-Spannung		V_GES	±20	V
Kollektorstrom		ICH_C(T=25°C)	50	A
Kollektorstrom		(Tc=100 °C)	25	A
Gepulster Kollektorstrom		ICH_CM	75	A
Diodenkontinuierlicher Durchlassstrom		ICH_F@TC = 100 °C	25	A
Maximaler Durchlassstrom der Diode		ICH_FM	75	A
Totale Verlustleistung	T_C=25°C	P_D	278	W
	T_C=100°C	P_D	111	W
Stellentemperatur		T_J	150	C
Lagertemperatur		T_stg	-55~150	C

Merkmale

FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: V_CE(Dorf), typ = 2,0 V
@ ICH_C=25A und T_C= 100°C

Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit

Anwendungen

Klimaanlage

Schweißen

UPS

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markieren Sie den Namen	RoHS	Paket	Menge
G25T120D	TO-247	G25T120D	Bleifrei	Rohr	300/Karton

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

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