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Jun 17, 2023

Die globale Marktgröße für High Electron Mobility Transistor (HEMT) soll bis 2032 16,82 Milliarden US-Dollar überschreiten

Die globale Marktgröße für Hochelektronenmobilitätstransistoren wurde auf 7,51 USD geschätzt

Laut einem von Spherical Insights & Consulting veröffentlichten Forschungsbericht wurde die globale Marktgröße für Hochelektronenmobilitätstransistoren im Jahr 2022 auf 7,51 Milliarden US-Dollar geschätzt und der weltweite Markt für Hochelektronenmobilitätstransistoren wird bis 2032 voraussichtlich 16,82 Milliarden US-Dollar erreichen. Abgedeckte Unternehmen: Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric und andere.

New York, Vereinigte Staaten, 1. Juni 2023 (GLOBE NEWSWIRE) – DieGlobale Marktgröße für High Electron Mobility Transistor (HEMT). soll von 7,51 Milliarden US-Dollar im Jahr 2022 auf 16,82 Milliarden US-Dollar im Jahr 2032 wachsen, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 8,4 % im prognostizierten Zeitraum. Der zunehmende Einsatz von Leistungshalbleitern für hohe Zuverlässigkeit und Effizienz in mehreren Branchen, darunter Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und anderen, dürfte die Nachfrage nach dem Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität im Prognosezeitraum ankurbeln.

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Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET) mit einem extrem niedrigen Rauschverhältnis und einem hohen Wirkungsgrad bei Mikrowellenfrequenzen. Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) und Galliumarsenid (GaAs) waren zwei der am häufigsten verwendeten Materialien bei der Herstellung von Transistoren mit hoher Elektronenmobilität. Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, die bei Frequenzen im Millimeterwellenlängenbereich arbeiten können, werden in Hochfrequenzgeräten wie Mobiltelefonen, Satellitenfernsehempfängern, Leistungsumwandlungsgeräten und Radarerkennungssystemen verwendet. Die steigende Verbrauchernachfrage nach Unterhaltungselektronik sowie die wachsende Nachfrage nach kostengünstigen Stromversorgungssystemen gehören zu den Haupttrends, die den Anstieg des Marktes für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität vorantreiben. Transistoren mit hoher Elektronenmobilität werden von der überwiegenden Mehrheit der Hersteller von Halbleiterbauelementen weltweit hergestellt. Dabei kann es sich um diskrete Transistoren handeln, am häufigsten werden sie heutzutage jedoch in integrierten Schaltkreisen eingesetzt. Darüber hinaus sind höhere Ausgaben für HEMT-Geräte, Wachstum und Entwicklung sowie technologische Fortschritte im Bereich der Transistoren mit hoher Elektronenmobilität wichtige Treiber für das globale Marktwachstum für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität.

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Das Segment Galliumnitrid (GaN) dominiert den Markt mit dem größten Umsatzanteil im Prognosezeitraum.

Je nach Typ ist der globale Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität in Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) und andere unterteilt. Unter diesen dominiert das Segment Galliumnitrid (GaN) den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 48,6 % im Prognosezeitraum. Im Gegensatz zu herkömmlichen Technologien wie Silizium (SI) oder Galliumarsenid (GaAs) basieren die faszinierendsten HEMT-Geräte heute auf Galliumnitrid (GaN), einem Material, das eine hohe Qualität, eine hohe Leistungsdichte und eine große breite Übertragung bietet.

Das Segment Unterhaltungselektronik hatte im Prognosezeitraum mit über 36,2 % den größten Umsatzanteil.

Auf der Grundlage der Endanwendungen ist der globale Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität in Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere unterteilt. Unter diesen dominiert das Segment der Unterhaltungselektronik den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 36,2 % im Prognosezeitraum. Transistorhalbleiter mit hoher Elektronenmobilität werden aufgrund ihrer überlegenen Hochfrequenz-, Rauscharmut- und Breitbandanwendungen in der Unterhaltungselektronik eingesetzt. HEMTs sind die besten Geräte zur Signalverstärkung, Oszillation und Erzeugung.

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Nordamerika hat im prognostizierten Zeitraum einen dominanten Marktanteil auf dem Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität.

Nordamerika dominiert im prognostizierten Zeitraum mehr als 38,7 % des Marktes für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität. Diese Marktbeherrschung kann auf seine breite Verwendung in Branchen wie Unterhaltungselektronik, Flugzeugen, Automobilen und anderen zurückgeführt werden. Im Gegenteil: Der asiatisch-pazifische Raum wird im Prognosezeitraum voraussichtlich am schnellsten wachsen.

Wettbewerbsanalyse:

Der Bericht bietet eine angemessene Analyse der wichtigsten am globalen Markt beteiligten Organisationen/Unternehmen sowie eine vergleichende Bewertung, die hauptsächlich auf deren Produktangebot, Geschäftsübersichten, geografischer Präsenz, Unternehmensstrategien, Segmentmarktanteilen und SWOT-Analyse basiert. Der Bericht bietet außerdem eine ausführliche Analyse, die sich auf die aktuellen Nachrichten und Entwicklungen der Unternehmen konzentriert, darunter Produktentwicklung, Innovationen, Joint Ventures, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen, strategische Allianzen und andere. Dies ermöglicht die Bewertung des gesamten Wettbewerbs innerhalb des Marktes. Zu den wichtigsten Anbietern auf dem globalen Markt für High Electron Mobility Transistor (HEMT) gehören Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric und unter anderen.

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Kürzliche Entwicklungen

Im Mai 2023, ROHM Semiconductor kündigte die Massenproduktion der 650-V-GaN-HEMTs (Galliumnitrid) GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z an. Diese Geräte wurden für vielfältige Anwendungen in Stromversorgungssystemen zugeschnitten. Gemeinsam haben Delta Electronics, Inc. und Ancora Semiconductors, Inc., eine Tochtergesellschaft, die GaN-Geräte herstellt, diese innovativen Produkte entwickelt. Ein großes Hindernis für den Aufbau einer dekarbonisierten Zivilisation ist die Steigerung der Effizienz von Energiequellen und Motoren, die den Großteil des weltweiten Stroms verbrauchen. Der Einsatz neuartiger Materialien wie GaN und SiC ist für die Steigerung der Effizienz der Stromversorgung von entscheidender Bedeutung.

Im Juni 2021, ST Microelectronics stellte eine neue Serie von GaN-Bauteilen namens STi2GaN vor, die für ST Intelligent and Integrated GaN steht. Um Haltbarkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten, verwenden die Teile die Bonddraht-freie Verpackungstechnologie von ST. Ziel der neuen Produktserie ist es, die hervorragende Leistungsdichte und Effizienz von GaN zu nutzen, um eine Reihe von 100-V- und 650-V-HEMT-Bauteilen (High Electron Mobility Transistor) bereitzustellen.

Marktsegment

Diese Studie prognostiziert Umsätze auf globaler, regionaler und Länderebene von 2020 bis 2032. Spherical Insights hat den globalen Markt für Hochelektronenmobilitätstransistoren anhand der unten genannten Segmente segmentiert:

Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, Typanalyse

Galliumnitrid (GaN)

Siliziumkarbid (SiC)

Galliumarsenid (GaAs)

Andere

Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, Endbenutzeranalyse

Unterhaltungselektronik

Automobil

Industriell

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung

Andere

Markt für Transistoren mit hoher Elektronenmobilität, regionale Analyse

Nordamerika

UNS

Kanada

Mexiko

Europa

Deutschland

Vereinigtes Königreich

Frankreich

Italien

Spanien

Russland

Rest von Europa

Asien-Pazifik

China

Japan

Indien

Südkorea

Australien

Rest des asiatisch-pazifischen Raums

Südamerika

Brasilien

Argentinien

Rest von Südamerika

Naher Osten und Afrika

Vereinigte Arabische Emirate

Saudi-Arabien

Katar

Südafrika

Rest des Nahen Ostens und Afrikas

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