Language
100 A 30 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30h10K bis -252b

Produkte

HeimHeim / Produkte / MOSFET / Einzelheiten
search
KATEGORIEN
MOSFET
PRODUKT
Keramikkondensator X2 184/630V P15 6um

Keramikkondensator X2 184/630V P15 6um
Mlcc-Chip-Festwert-Keramik-Mehrschichtkondensator mit hoher Spannung, hohem Q und niedriger Induktivität, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF für Automobil-/Industrie-/Verbraucheranwendungen

Mlcc-Chip-Festwert-Keramik-Mehrschichtkondensator mit hoher Spannung, hohem Q und niedriger Induktivität, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF für Automobil-/Industrie-/Verbraucheranwendungen
36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batterie BMS Packs PCB Schutzplatine Balance Integrierte Schaltkreise

36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batterie BMS Packs PCB Schutzplatine Balance Integrierte Schaltkreise
Mehrschichtige Keramikkondensatoren 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Mehrschichtige Keramikkondensatoren 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Mehrschichtige Keramikkondensatoren 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10 %

Mehrschichtige Keramikkondensatoren 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10 %
Senden Sie Ihre Anfrage
EINREICHEN
100 A 30 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30h10K bis -252b

100 A 30 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30h10K bis -252b

100 A 30 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus 1 Beschreibung Diese N-Kanal-Anreicherungs-VDMOSFETs nutzen

Senden Sie Ihre Anfrage

BESCHREIBUNG

Basisinformation
Modell Nr.30H10K
Chargennummer2021
Markebxdh
TransportpaketBand, Rolle
WarenzeichenWXDH
HerkunftWuxi, China
HS-Code8541290000
Produktbeschreibung

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


100 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs werden verwendet
Fortschrittliches Grabentechnologie-Design, hervorragend bereitgestellt
RDSON und niedrige Gate-Ladung. Was mit dem übereinstimmt
RoHS-Standard.
Merkmale
Schnelles Umschalten
Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 0,55 mΩ)
Niedrige Gate-Ladung (Typ: 43 nC)
Niedrige Rückübertragungskapazitäten (Typ: 215 pF)
100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
100 % VDSPrüfen
Anwendungen
Leistungsschaltanwendungen
Wechselrichter-Managementsystem
Elektrische Werkzeuge
Automobilelektronik
PARAMETERSYMBOLWERTEINHEIT
30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B30H10F
Maximale DC-Spannung der Drian-QuelleVDS30V
Maximale Gate-Drain-SpannungVGS±20V
Abflussstrom (kontinuierlich)ICHD(T=25°C)100A
(T=100°C)70A
Abflussstrom (gepulst)ICHDM280A
Einzelimpuls-LawinenenergieEALS200mJ
Totale VerlustleistungTa=25°CPt22W
Temperatur = 25 °CPt6024W
StellentemperaturTJ-55~150C
LagertemperaturTstg-55~150C
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
ProduktmodellPakettypMarkieren Sie den NamenRoHSPaketMenge
30H10TO-220C30H10BleifreiRohr1000/Karton
30H10FTO-220F30H10FBleifreiRohr1000/Karton
30H10BTO-25130H10BBleifreiRohr3000/Karton
30H10KTO-25230H10KBleifreiBand und Rolle2500/Karton
30H10ITO-26230H10IBleifreiRohr1000/Karton
30H10ETO-26330H10EBleifreiBand und Rolle800/Karton

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


Ähnliche Produkte